FZ1800R12HE4B9HOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1800R12HE4B9HOSA2 | FZ1800R12HE4B9HOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FZ1800R12HE4B9HOSA2
LIXINC Part #	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 1200V 2735A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FZ1800R12HE4B9HOSA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FZ1800R12HE4B9HOSA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
kokoonpano:	Single Switch
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	2735 A
teho - max:	11000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 1800A
virta - kollektorin katkaisu (max):	5 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	110 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module