2PS18012E44G40113NOSA1 | IR (Infineon Technologies) 2PS18012E44G40113NOSA1 | 2PS18012E44G40113NOSA1 Inventory, Best Pricing

2PS18012E44G40113NOSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2PS18012E44G40113NOSA1
LIXINC Part #	2PS18012E44G40113NOSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 2560A 5600W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2PS18012E44G40113NOSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2PS18012E44G40113NOSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	2PS18012E44G40113NOSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	PrimeSTACK™
paketti:	Tray
osan tila:	Not For New Designs
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Three Phase Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	2560 A
teho - max:	5600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	-
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-25°C ~ 60°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module