VS-ETL015Y120H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-ETL015Y120H
LIXINC Part #	VS-ETL015Y120H
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-ETL015Y120H PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-ETL015Y120H Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-ETL015Y120H
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench
kokoonpano:	-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	22 A
teho - max:	89 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.03V @ 15V, 15A
virta - kollektorin katkaisu (max):	75 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	1.07 nF @ 30 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	EMIPAK-2B
toimittajan laitepaketti:	EMIPAK-2B