FZ1200R17HP4B2BOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1200R17HP4B2BOSA2 | FZ1200R17HP4B2BOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FZ1200R17HP4B2BOSA2
LIXINC Part #	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FZ1200R17HP4B2BOSA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 05 - Oct 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
kokoonpano:	Half Bridge
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1700 V
virta - kollektori (ic) (max):	1200 A
teho - max:	7800 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 1200A
virta - kollektorin katkaisu (max):	5 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	97 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module