RJK0852DPB-00#J5 | Renesas Electronics America RJK0852DPB-00#J5 | RJK0852DPB-00#J5 Inventory, Best Pricing

RJK0852DPB-00#J5

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RJK0852DPB-00#J5
LIXINC Part #	RJK0852DPB-00#J5
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RJK0852DPB-00#J5 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RJK0852DPB-00#J5 Tekniset tiedot

Osa numero:	RJK0852DPB-00#J5
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	30A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4150 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	55W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	LFPAK
paketti/laukku:	SC-100, SOT-669