2SK1339-E | Renesas Electronics America 2SK1339-E | 2SK1339-E Inventory, Best Pricing

2SK1339-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SK1339-E
LIXINC Part #	2SK1339-E
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SK1339-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SK1339-E Tekniset tiedot

Osa numero:	2SK1339-E
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	900 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	425 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	80W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-3P
paketti/laukku:	TO-3P-3, SC-65-3