IRFU1010Z | IR (Infineon Technologies) IRFU1010Z | IRFU1010Z Inventory, Best Pricing

IRFU1010Z

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFU1010Z
LIXINC Part #	IRFU1010Z
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFU1010Z PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 11 - Oct 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFU1010Z Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFU1010Z
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	42A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2840 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	140W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	IPAK (TO-251)
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA