CSD16323Q3C | Texas Instruments CSD16323Q3C | CSD16323Q3C Inventory, Best Pricing

CSD16323Q3C

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD16323Q3C
LIXINC Part #	CSD16323Q3C
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD16323Q3C PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD16323Q3C Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD16323Q3C
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Ta), 60A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	3V, 8V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	+10V, -8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 12.5 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SON-EP (3x3)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN