IPI045N10N3GXK | IR (Infineon Technologies) IPI045N10N3GXK | IPI045N10N3GXK Inventory, Best Pricing

IPI045N10N3GXK

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPI045N10N3GXK
LIXINC Part #	IPI045N10N3GXK
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPI045N10N3GXK PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPI045N10N3GXK Tekniset tiedot

Osa numero:	IPI045N10N3GXK
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™ 3
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	137A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	117 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8410 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	214W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO262-3
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA