IRF5805 | IR (Infineon Technologies) IRF5805 | IRF5805 Inventory, Best Pricing

IRF5805

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF5805
LIXINC Part #	IRF5805
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF5805 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF5805 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF5805
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	98mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	511 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Ta)
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro6™(TSOP-6)
paketti/laukku:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6