FQPF17N08L | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQPF17N08L

FQPF17N08L

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQPF17N08L
LIXINC Part #	FQPF17N08L
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQPF17N08L PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQPF17N08L Tekniset tiedot

Osa numero:	FQPF17N08L
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	QFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.2A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11.5 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	30W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220F
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack