NVD4809NHT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVD4809NHT4G

NVD4809NHT4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVD4809NHT4G
LIXINC Part #	NVD4809NHT4G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVD4809NHT4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVD4809NHT4G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVD4809NHT4G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9A (Ta), 58A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 11.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	44 nC @ 11.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2155 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.3W (Ta), 52W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63