NVMFS6B14NLWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G

NVMFS6B14NLWFT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVMFS6B14NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6B14NLWFT1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVMFS6B14NLWFT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVMFS6B14NLWFT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVMFS6B14NLWFT1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Ta), 55A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.8W (Ta), 94W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN