2N7000,126 | NXP Semiconductors 2N7000,126 | 2N7000,126 Inventory, Best Pricing

2N7000,126

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2N7000,126
LIXINC Part #	2N7000,126
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2N7000,126 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2N7000,126 Tekniset tiedot

Osa numero:	2N7000,126
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tape & Box (TB)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	300mA (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	40 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	830mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)