IRLH5036TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRLH5036TRPBF | IRLH5036TRPBF Inventory, Best Pricing

IRLH5036TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRLH5036TRPBF
LIXINC Part #	IRLH5036TRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRLH5036TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRLH5036TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRLH5036TRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5360 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN