RJK0301DPB-WS#J0 | Renesas Electronics America RJK0301DPB-WS#J0 | RJK0301DPB-WS#J0 Inventory, Best Pricing

RJK0301DPB-WS#J0

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RJK0301DPB-WS#J0
LIXINC Part #	RJK0301DPB-WS#J0
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RJK0301DPB-WS#J0 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RJK0301DPB-WS#J0 Tekniset tiedot

Osa numero:	RJK0301DPB-WS#J0
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	60A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (max):	+16V, -12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5000 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	65W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	5-LFPAK
paketti/laukku:	SC-100, SOT-669