IPLU300N04S4R7XTMA2 | IR (Infineon Technologies) IPLU300N04S4R7XTMA2 | IPLU300N04S4R7XTMA2 Inventory, Best Pricing

IPLU300N04S4R7XTMA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPLU300N04S4R7XTMA2
LIXINC Part #	IPLU300N04S4R7XTMA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPLU300N04S4R7XTMA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPLU300N04S4R7XTMA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPLU300N04S4R7XTMA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	300A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	0.76mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 230µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	287 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	22945 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	429W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-HSOF-8-1
paketti/laukku:	8-PowerSFN