2SK2963(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK2963(TE12L,F)

2SK2963(TE12L,F)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SK2963(TE12L,F)
LIXINC Part #	2SK2963(TE12L,F)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SK2963(TE12L,F) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SK2963(TE12L,F) Tekniset tiedot

Osa numero:	2SK2963(TE12L,F)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	700mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PW-MINI
paketti/laukku:	TO-243AA