ZXM66P03N8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	ZXM66P03N8TA
LIXINC Part #	ZXM66P03N8TA
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	ZXM66P03N8TA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

ZXM66P03N8TA Tekniset tiedot

Osa numero:	ZXM66P03N8TA
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6.25A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1979 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.56W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)