IRFD010PBF | Vishay / Siliconix IRFD010PBF | IRFD010PBF Inventory, Best Pricing

IRFD010PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFD010PBF
LIXINC Part #	IRFD010PBF
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFD010PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 02 - Jul 06 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFD010PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFD010PBF
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	50 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.7A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 860mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paketti/laukku:	4-DIP (0.300", 7.62mm)