SPD26N06S2L-35 | IR (Infineon Technologies) SPD26N06S2L-35 | SPD26N06S2L-35 Inventory, Best Pricing

SPD26N06S2L-35

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SPD26N06S2L-35
LIXINC Part #	SPD26N06S2L-35
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SPD26N06S2L-35 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SPD26N06S2L-35 Tekniset tiedot

Osa numero:	SPD26N06S2L-35
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	30A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 26µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	790 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	68W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	P-TO252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63