FDP027N08B | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP027N08B

FDP027N08B

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDP027N08B
LIXINC Part #	FDP027N08B
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDP027N08B PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDP027N08B Tekniset tiedot

Osa numero:	FDP027N08B
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	178 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	13530 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	246W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3