AOU2N60_001 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOU2N60_001

AOU2N60_001

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AOU2N60_001
LIXINC Part #	AOU2N60_001
Valmistaja	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AOU2N60_001 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AOU2N60_001 Tekniset tiedot

Osa numero:	AOU2N60_001
Brändi:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	325 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	56.8W (Tc)
Käyttölämpötila:	-50°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-251-3
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA