BSD214SN L6327 | IR (Infineon Technologies) BSD214SN L6327 | BSD214SN L6327 Inventory, Best Pricing

BSD214SN L6327

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSD214SN L6327
LIXINC Part #	BSD214SN L6327
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSD214SN L6327 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 09 - Jul 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSD214SN L6327 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSD214SN L6327
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 3.7µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	0.8 nC @ 5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	143 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT363-6
paketti/laukku:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363