HUFA75829D3S | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HUFA75829D3S

HUFA75829D3S

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HUFA75829D3S
LIXINC Part #	HUFA75829D3S
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 150V 18A TO252AA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HUFA75829D3S PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 07 - Jul 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HUFA75829D3S Tekniset tiedot

Osa numero:	HUFA75829D3S
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	UltraFET™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	150 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	18A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	70 nC @ 20 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1080 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	110W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252AA
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63