BSC037N025S G | IR (Infineon Technologies) BSC037N025S G | BSC037N025S G Inventory, Best Pricing

BSC037N025S G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSC037N025S G
LIXINC Part #	BSC037N025S G
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSC037N025S G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSC037N025S G Tekniset tiedot

Osa numero:	BSC037N025S G
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3660 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.8W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8-1
paketti/laukku:	8-PowerTDFN