IRF7807VD2TR | IR (Infineon Technologies) IRF7807VD2TR | IRF7807VD2TR Inventory, Best Pricing

IRF7807VD2TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF7807VD2TR
LIXINC Part #	IRF7807VD2TR
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF7807VD2TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF7807VD2TR Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF7807VD2TR
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	FETKY™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	2.5W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)