2SK3430-Z-E1-AZ | Renesas Electronics America 2SK3430-Z-E1-AZ | 2SK3430-Z-E1-AZ Inventory, Best Pricing

2SK3430-Z-E1-AZ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SK3430-Z-E1-AZ
LIXINC Part #	2SK3430-Z-E1-AZ
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SK3430-Z-E1-AZ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SK3430-Z-E1-AZ Tekniset tiedot

Osa numero:	2SK3430-Z-E1-AZ
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2800 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.5W (Ta), 84W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3