MVB50P03HDLT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part #	MVB50P03HDLT4G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MVB50P03HDLT4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MVB50P03HDLT4G Tekniset tiedot

Osa numero:	MVB50P03HDLT4G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 5 V
vgs (max):	±15V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.9 nF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK-3
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB