NTD4806NA-35G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTD4806NA-35G

NTD4806NA-35G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTD4806NA-35G
LIXINC Part #	NTD4806NA-35G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTD4806NA-35G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 16 - Sep 20 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTD4806NA-35G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTD4806NA-35G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.3A (Ta), 79A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2142 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Stub Leads, IPak