TK12P60W,RVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK12P60W,RVQ
LIXINC Part #	TK12P60W,RVQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK12P60W,RVQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK12P60W,RVQ Tekniset tiedot

Osa numero:	TK12P60W,RVQ
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	DTMOSIV
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 600µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 300 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	100W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63