TK60P03M1,RQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK60P03M1,RQ(S
LIXINC Part #	TK60P03M1,RQ(S
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK60P03M1,RQ(S PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 01 - Jul 05 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK60P03M1,RQ(S Tekniset tiedot

Osa numero:	TK60P03M1,RQ(S
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVI-H
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Last Time Buy
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	60A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 500µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2700 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	63W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63