BSZ0911LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ0911LSATMA1 | BSZ0911LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ0911LSATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSZ0911LSATMA1
LIXINC Part #	BSZ0911LSATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSZ0911LSATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 07 - Jul 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSZ0911LSATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSZ0911LSATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™ 5
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	670 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TSDSON-8-FL
paketti/laukku:	8-PowerTDFN

XP152A11E5MR-G	MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23	931 Lisää tilauksesta
CSD23203W	MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA	866 Lisää tilauksesta
SI7308DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8	6450 Lisää tilauksesta
NTMFS4945NT1G	MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN	230505 Lisää tilauksesta
BUK654R8-40C,127	MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB	5823 Lisää tilauksesta
UPA652TT-E1-A	MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF	21930 Lisää tilauksesta
IPN70R450P7SATMA1	MOSFET N-CH 700V 10A SOT223	3269 Lisää tilauksesta
NTD4910N-35G	MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK	12413 Lisää tilauksesta
FDD13AN06A0	MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK	830055832 Lisää tilauksesta
RD3P050SNTL1	MOSFET N-CH 100V 5A TO252	1707 Lisää tilauksesta
PSMN3R2-30YLC,115	ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF	2140 Lisää tilauksesta
FDD5810	MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK	1383 Lisää tilauksesta
BSS84AKVL	MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB	988 Lisää tilauksesta