FCH190N65F-F085 | Rochester Electronics FCH190N65F-F085 | FCH190N65F-F085 Inventory, Best Pricing

FCH190N65F-F085

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FCH190N65F-F085
LIXINC Part #	FCH190N65F-F085
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FCH190N65F-F085 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FCH190N65F-F085 Tekniset tiedot

Osa numero:	FCH190N65F-F085
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20.6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	82 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3.181 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	208W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247-3
paketti/laukku:	TO-247-3