STD4NK80Z-1 | STMicroelectronics STD4NK80Z-1 | STD4NK80Z-1 Inventory, Best Pricing

STD4NK80Z-1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STD4NK80Z-1
LIXINC Part #	STD4NK80Z-1
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STD4NK80Z-1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STD4NK80Z-1 Tekniset tiedot

Osa numero:	STD4NK80Z-1
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	SuperMESH™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	22.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	575 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	80W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA