RM17N800T2 | Rectron USA RM17N800T2 | RM17N800T2 Inventory, Best Pricing

RM17N800T2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RM17N800T2
LIXINC Part #	RM17N800T2
Valmistaja	Rectron USA
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RM17N800T2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RM17N800T2 Tekniset tiedot

Osa numero:	RM17N800T2
Brändi:	Rectron USA
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rectron USA
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	17A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	320mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2060 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	260W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3