RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1 | RQ3E100MNTB1 Inventory, Best Pricing

RQ3E100MNTB1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RQ3E100MNTB1
LIXINC Part #	RQ3E100MNTB1
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RQ3E100MNTB1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RQ3E100MNTB1 Tekniset tiedot

Osa numero:	RQ3E100MNTB1
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	*
paketti:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	12.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	9.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-HSMT (3.2x3)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN