G3R160MT12J | GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J | G3R160MT12J Inventory, Best Pricing

G3R160MT12J

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	G3R160MT12J
LIXINC Part #	G3R160MT12J
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	G3R160MT12J PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

G3R160MT12J Tekniset tiedot

Osa numero:	G3R160MT12J
Brändi:	GeneSiC Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	GeneSiC Semiconductor
sarja:	G3R™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	22A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	15V
rds päällä (max) @ id, vgs:	192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.69V @ 5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (max):	±15V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	730 pF @ 800 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	128W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-263-7
paketti/laukku:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA