PMXB360ENEAZ | Nexperia PMXB360ENEAZ | PMXB360ENEAZ Inventory, Best Pricing

PMXB360ENEAZ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PMXB360ENEAZ
LIXINC Part #	PMXB360ENEAZ
Valmistaja	Nexperia
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PMXB360ENEAZ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PMXB360ENEAZ Tekniset tiedot

Osa numero:	PMXB360ENEAZ
Brändi:	Nexperia
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Nexperia
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.1A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	130 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DFN1010D-3
paketti/laukku:	3-XDFN Exposed Pad