SQD10N30-330H_GE3 | Vishay / Siliconix SQD10N30-330H_GE3 | SQD10N30-330H

SQD10N30-330H_GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SQD10N30-330H_GE3
LIXINC Part #	SQD10N30-330H_GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SQD10N30-330H_GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 07 - Jul 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SQD10N30-330H_GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SQD10N30-330H_GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	300 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	330mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	47 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2190 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	107W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252AA
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63