DN3765K4-G | Roving Networks / Microchip Technology DN3765K4-G

DN3765K4-G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DN3765K4-G
LIXINC Part #	DN3765K4-G
Valmistaja	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DN3765K4-G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 11 - Oct 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DN3765K4-G Tekniset tiedot

Osa numero:	DN3765K4-G
Brändi:	Roving Networks / Microchip Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Roving Networks / Microchip Technology
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	300mA (Tj)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	0V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	825 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	Depletion Mode
tehohäviö (max):	2.5W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63