IPWS65R075CFD7AXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPWS65R075CFD7AXKSA1 | IPWS65R075CFD7AXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPWS65R075CFD7AXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPWS65R075CFD7AXKSA1
LIXINC Part #	IPWS65R075CFD7AXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPWS65R075CFD7AXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPWS65R075CFD7AXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPWS65R075CFD7AXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	32A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	75mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 820µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	68 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3288 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	171W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO247-3-41
paketti/laukku:	TO-247-3