PHK31NQ03LT,518 | Rochester Electronics PHK31NQ03LT,518 | PHK31NQ03LT,518 Inventory, Best Pricing

PHK31NQ03LT,518

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PHK31NQ03LT,518
LIXINC Part #	PHK31NQ03LT,518
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PHK31NQ03LT,518 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PHK31NQ03LT,518 Tekniset tiedot

Osa numero:	PHK31NQ03LT,518
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	30.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.15V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.235 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	6.9W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)