IPP084N06L3GXKSA1 | Rochester Electronics IPP084N06L3GXKSA1 | IPP084N06L3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP084N06L3GXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP084N06L3GXKSA1
LIXINC Part #	IPP084N06L3GXKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP084N06L3GXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP084N06L3GXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP084N06L3GXKSA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 34µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.9 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	79W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3

STS6P3LLH6	MOSFET P-CH 30V 6A 8SO	930 Lisää tilauksesta
SSU2N60BTU	N-CHANNEL POWER MOSFET	2853 Lisää tilauksesta
AUIRLS3034-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	20983 Lisää tilauksesta
NVMFS6H818NWFT1G	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN	2395 Lisää tilauksesta
FQB19N10LTM	MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK	5842 Lisää tilauksesta
RJK0329DPB-01#J0	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK	22486 Lisää tilauksesta
DMG6402LVT-7	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26	31899 Lisää tilauksesta
SFT1452-TL-W	MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA	7198 Lisää tilauksesta
PSMN8R5-100ESQ	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	2486 Lisää tilauksesta
IRFH7446TRPBF	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN	15733 Lisää tilauksesta
IRLR110	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK	954 Lisää tilauksesta
AOB10N60L	MOSFET N-CH 600V 10A TO263	919 Lisää tilauksesta
HUFA76413D3S	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA	9187 Lisää tilauksesta