PMXB75UPEZ | Nexperia PMXB75UPEZ | PMXB75UPEZ Inventory, Best Pricing

PMXB75UPEZ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PMXB75UPEZ
LIXINC Part #	PMXB75UPEZ
Valmistaja	Nexperia
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PMXB75UPEZ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PMXB75UPEZ Tekniset tiedot

Osa numero:	PMXB75UPEZ
Brändi:	Nexperia
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Nexperia
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.9A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.2V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	608 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DFN1010D-3
paketti/laukku:	3-XDFN Exposed Pad