IRFBE30PBF | Vishay / Siliconix IRFBE30PBF | IRFBE30PBF Inventory, Best Pricing

IRFBE30PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFBE30PBF
LIXINC Part #	IRFBE30PBF
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFBE30PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFBE30PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFBE30PBF
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.1A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3