CSD18537NQ5AT | Texas Instruments CSD18537NQ5AT | CSD18537NQ5AT Inventory, Best Pricing

CSD18537NQ5AT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD18537NQ5AT
LIXINC Part #	CSD18537NQ5AT
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD18537NQ5AT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD18537NQ5AT Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD18537NQ5AT
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1480 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.2W (Ta), 75W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-VSONP (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN