IPP039N04LGXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP039N04LGXKSA1 | IPP039N04LGXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP039N04LGXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP039N04LGXKSA1
LIXINC Part #	IPP039N04LGXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP039N04LGXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP039N04LGXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP039N04LGXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 45µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6100 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	94W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3-1
paketti/laukku:	TO-220-3