CSD19501KCS | Texas Instruments CSD19501KCS | CSD19501KCS Inventory, Best Pricing

CSD19501KCS

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD19501KCS
LIXINC Part #	CSD19501KCS
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD19501KCS PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD19501KCS Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD19501KCS
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3980 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	217W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3