SI3430DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix SI3430DV-T1-BE3 | SI3430DV-T1-BE3 Inventory, Best Pricing

SI3430DV-T1-BE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI3430DV-T1-BE3
LIXINC Part #	SI3430DV-T1-BE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI3430DV-T1-BE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI3430DV-T1-BE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI3430DV-T1-BE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.14W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-TSOP
paketti/laukku:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6